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中国科学院北京信息电子技术
大型仪器区域中心
大型仪器列表
| 编号 | 仪器名称 | 仪器型号 | 仪器用途 |
| 1 | 半导体参数测试仪 | 1500 | |
| 2 | 射频探针测试系统 | M150 | |
| 3 | 带温箱转台 | HT-02 | |
| 4 | 纳米压印机 | SB6 | |
| 5 | 半导体综合参数测试仪 | 4200 | |
| 6 | 快速温变试验箱 | TE-05-70-WH | |
| 7 | 内部水汽检测仪 | 407 | |
| 8 | 恒定加速度试验机 | 9051 | |
| 9 | 振动试验台 | TV 57315/LS-340 | |
| 10 | HF牺牲层释放系统 | uEtch | |
| 11 | 键合系统SB6 Gen2 | SB6 Gen2 | |
| 12 | ICP CVD | PlasmaPro100 | |
| 13 | 新能源输配电仿真系统设备主机 | RT-LAB | |
| 14 | 新能源发电设备仿真平台 | RT-LAB | |
| 15 | 多能互补发电系统运行和保护性能测试装置 | PDSP-1000 | |
| 16 | 光伏储能变流器电网接入实时模拟及测试装置 | 3ΦPAS5000 | |
| 17 | 直流电流分析与测试装置 | DDC-403 | 充放电测试 |
| 18 | 交直流电网动模与控制装置 | 100kVA | 电学测试 |
| 19 | 流式细胞仪 | FACSCalibur | 细胞活力分析 |
| 20 | 多通道高通量荧光定量PCR仪（QuantStudio6实时定量PCR系统） | ABI quantstudio6 | 细胞活力分析,基因表达的差异分析 |
| 21 | 磁热疗效应分析仪 | NAN201003 | 磁热分析 |
| 22 | 电子束离子束精细加工系统 | HELIOS G4 CX | |
| 23 | 五束源炉铜铟镓硒共蒸系统 | 研制 | 薄膜沉积 |
| 24 | 缺陷数据分析处理仪 | KLA-TENCOR 2552 | 硅片缺陷检测 |
| 25 | 多功能微纳器件与电路测试分析系统（2018） | UItraFIex | 处理器芯片参数测量 |
| 26 | 高低温循环试验箱6 | TE-02-70-W | 高温烘烤,高低温试验 |
| 27 | 高低温循环试验箱5 | TE-02-70-W | 高温烘烤,高低温试验 |
| 28 | 高低温循环试验箱4 | TE-02-70-W | 高温烘烤,高低温试验 |
| 29 | 高低温循环试验箱3 | TE-02-70-W | 高温烘烤,高低温试验 |
| 30 | 高低温循环试验箱2 | TE-02-70-W | 高温烘烤,高低温试验 |
| 31 | 高低温循环试验箱1 | TE-02-70-W | 高温烘烤,高低温试验 |
| 32 | 高低温循环试验箱 | TE-20-70-WH | 湿热试验,高低温试验,高温烘烤 |
| 33 | 光刻机 | 208-240UAC-1 | 光刻 |
| 34 | 多功能刻蚀机 | ME-3A | 刻蚀 |
| 35 | 台阶仪 | ASIQ | 台阶 |
| 36 | 划片机 | ZSH426 | 划片 |
| 37 | 扫描电镜 | S-4800 | 扫描电镜 |
| 38 | 紫外激光精细加工设备 | FP-D-DZS-001 | 紫外激光精细加工 |
| 39 | 键合系统 | MA/BA6 & SB6e | 键合 |
| 40 | 硅深刻蚀系统 | AMS-100 | 硅深刻蚀 |
| 41 | 金丝球焊机 | 7700E | 金丝球焊 |
| 42 | 双面光刻机 | MA4 BSA | 双面光刻 |
| 43 | 超高真空磁控溅射设备 | JGD560B3 | 磁控溅射设备 |
| 44 | 金属薄膜快速沉积系统 | Discovery-635 | 薄膜快速沉积 |
| 45 | 热真空试验系统3 | RZHM1000-C/c | 热真空 |
| 46 | 热真空试验系统2 | RZHM1000-C/c | 热真空 |
| 47 | 热真空试验系统1 | RZHM1000-C/c | 热真空 |
| 48 | 加速度试验机 | Y53100-3/ZF | 加速度试验 |
| 49 | 冲击响应谱试验机 | CXP-100 | 冲击响应谱,冲击试验 |
| 50 | UD数字式电动振动试验系统 | SAI60-H560B-16/ST | 冲击响应谱,冲击试验,随机+随机振动,正弦+随机振动,随机振动,正弦振动 |
| 51 | ST数字式电动振动试验系统 | DC-5000-50/SC-1010 | 随机+随机振动,正弦+随机振动,随机振动,正弦振动,冲击响应谱,冲击试验 |
| 52 | 大体积高低温箱 | EW23065P4WBF | 湿热试验,高温烘烤,高低温试验 |
| 53 | 高低温循环试验箱 | TE-05-70-WH | 湿热试验,高温烘烤,高低温试验 |
| 54 | 高低温冲击系统 | TS3-02-55-W | 温度冲击 |
| 55 | 高低温箱2 | TV-10-70-W | 低气压,高温烘烤,高低温试验 |
| 56 | 高低温箱1 | TV-10-70-W | 低气压,高温烘烤,高低温试验 |
| 57 | 多功能高精度半导体器件可靠性测试与分析系统 | STAr Sagittarius | 集成电路可靠性试验 |
| 58 | 晶圆级缺陷检测分析系统(2017) | KLA-TENCOR 2139 | 硅片缺陷检测 |
| 59 | 芯片仿真加速器(2017) | 39HX8P8 | 并行机计算 |
| 60 | 多材料共溅射设备 | ProLine PVD 75 | 磁控溅射 |
| 61 | 可变温MEMS测试系统 | VT-60 | 半导体电学特性测试分析 |
| 62 | 光刻胶喷涂设备 | AS8 | 光刻 |
| 63 | MEMS精密激光加工设备 | IMC-PS-MicroD300 | 微纳米结构制作 |
| 64 | 芯片仿真加速器(2017) | 39HX8P8 | 并行机计算 |
| 65 | 地面光谱采集系统 | GOOCH&Housego OL 756 | 光学系统参数检测,地面光谱采集 |
| 66 | 通用应力仪 | StrainMatic M4/100.14 | 光学器件或元件参数测量 |
| 67 | 目标观测望远镜 | Reflet 180S | 数据服务 |
| 68 | 激光干涉仪1 | Zygo Verifier | 光学系统参数检测 |
| 69 | 数字成像应力仪 | μA11890 | 光学器件或元件参数测量 |
| 70 | 分光光度计 | UV-3700PLUS | 光学系统参数检测,透过率,反射率 |
| 71 | 高真空多功能化合物半导体快速沉积研究设备 | JZ-2015-03-01 | 薄膜沉积,薄膜沉积 |
| 72 | 等离子体辅助热丝化学气相沉积系统 | JZPERS450III | 薄膜沉积 |
| 73 | 喷镀机（2016）（D） | Stir CUP-PLATER | 电镀 |
| 74 | 可扩展IP核测试仪 | LTX-Credence D10 | 电性测试 |
| 75 | 全自动防静电测试系统（A） | HED-N5000 | 产品性能分析,esd,ESD |
| 76 | 声扫描显微镜（A） | PVA TePla SAM 400 | 产品性能分析 |
| 77 | 扫频振动仪（A） | DSX-6650 | 产品性能分析,随机振动,扫频振动 |
| 78 | 电子束曝光机2号（8寸）（J） | NB5 | 微纳米结构制作 |
| 79 | 波长色散X射线荧光光谱仪 | ZSX PimusⅡ | 荧光光谱测试 |
| 80 | 激光拉曼光谱仪 | inVia | 拉曼光谱分析 |
| 81 | 太阳电池表面钝化系统（包括深能级瞬态谱 TLM接触电阻测试仪） | FT1030 | 薄膜 |
| 82 | 高速信号采集分析仪器 | Tektronix MSO71604C | 高速信号采集分析仪器 ,信号分析 |
| 83 | 振动测量仪（设备中心）（2016） | Siemens SCM202 | 力学性能测试 |
| 84 | 逻辑分析系统（设备中心）（2016） | Tektronix TLA7012 | 信号分析 |
| 85 | 精密CMM三坐标测量仪（设备中心）（2016） | Leitz PMM-C 12.10.7 | 表面形貌分析 |
| 86 | 热压烧结炉 | HP-8x8x8-W-WM-O6A6-A-16 | 材料合成 |
| 87 | 强磁场热处理系统 | JMTD-12T100 | 材料合成 |
| 88 | 终端综合测试仪(2015) | SP8010B | 高频时域信号测量 |
| 89 | 任意波形发生器(2015)（健康） | M8190A | 函数信号发生器 |
| 90 | 信号源分析仪(2015) | E5052B | 小信号频域测量 |
| 91 | 激光热常数测试仪 | LFA427 | 飞秒量级超快热过程测量 |
| 92 | 高精度电子束蒸发台(D)2014 | BAK501 | 薄膜蒸发 |
| 93 | 单片剥离清洗机(D)2014 | SSECM3302 | 单片晶圆金属剥离 |
| 94 | 集成电路测试系统V93000（A） | V93000 | 产品性能分析,集成电路FT常温测试（成测）,集成电路CP测试（中测）,集成电路FT高低温测试（成测） |
| 95 | 半导体电学参数分析仪（区域中心）（C） | Keithley 4200 | 电子材料特性参数测量 |
| 96 | 高压探针测试系统 | PW800s | 电学测试 |
| 97 | 减薄抛光系统 | system | 减薄 |
| 98 | Oxford ICP刻蚀机 | Plasmapro | 刻蚀 |
| 99 | 激光直写曝光机 | DWL2000 | 光刻 |
| 100 | RIE反应离子刻蚀机 | plasma100 | 刻蚀 |
| 101 | 蒸发台 | EB700 | 等离子体清洗,电子束蒸发 |
| 102 | 微波等离子清洗系统（西区） | Plasma 300 | 等离子体清洗 |
| 103 | 自动对准耦合测试系统 | AutoAlign | 波导参数测试 |
| 104 | 步进式光刻机 | NSR-17557A | 光刻 |
| 105 | 比表面积及介孔/微孔分析仪 | ASAP 2020HD88 | 固体的比表面积、孔径分布 |
| 106 | X射线衍射仪 | D8 ADVANCE | 粉末数据收集及数据库查询 |
| 107 | ICP-电感耦合等离子体刻蚀系统-Sentech2#（D） | SI500 | 半导体干法刻蚀工艺 |
| 108 | XeF2气相腐蚀设备（8寸）（J） | Xactix Xtech X4 | 硅材料牺牲层释放 |
| 109 | PECVD非晶硅淀积设备 （8寸）（J） | MiniLock III | 薄膜沉积 |
| 110 | 反应离子刻蚀去胶机 Neo2130[D] | Neo2130 | 半导体干法刻蚀工艺 |
| 111 | 高精密激光图形发生器（区域中心）（C） | DWL2000 | 平行曝光 |
| 112 | 激光共聚焦扫描显微镜 | fv1000 | 细胞荧光显微分析,激光共聚焦显微镜（CLSM)测试 |
| 113 | 活细胞工作站 | du-897u | 细胞荧光显微分析,显微分析 |
| 114 | 脉冲激光沉积镀膜系统 | P180-2 | 材料合成 |
| 115 | 冲击试验台（A）例行实验 | CL-100 | 产品性能分析,产品分析 |
| 116 | 冷热冲击快速温变综合实验箱（A）例行实验 | ETST-080-65-AW | 产品性能分析,冷热冲击,产品分析 |
| 117 | ICP-电感耦合等离子体刻蚀系统-Sentech1#【D】 | SI500 | 刻蚀 |
| 118 | 微波等离子去胶机（东区） | Plasma 300 | 匀胶,等离子体清洗 |
| 119 | LPCVD设备 | LP4612-2F | LPCVD |
| 120 | 实时荧光定量PCR扩增仪 | stepone | 基因表达的差异分析 |
| 121 | 荧光分光光度计 | F-4500 | 荧光光谱测试 |
| 122 | 台阶仪（8寸）（J） | Dektak 150 | 表面台阶高度测试,表面台阶高度测试 |
| 123 | 扫描电镜（I） | 3000 | 表面形貌测量,表面形貌分析 |
| 124 | 台阶仪（I） | Bruker Dektak XT？ | 表面台阶高度测试 |
| 125 | 多功能拉力、剪切力测试系统（I） | Royce System 650 | 封装 键合剪切推拉测试 |
| 126 | 高性能示波器 | DSAX91604A | 电路在片测试系统,高性能示波器,电路在片测试系统 |
| 127 | C-V测试仪（8寸）（J） | WT-2000 | C_V测量 |
| 128 | 应力测试仪（8寸）（J） | FLX-2320S | 薄膜应力分析 |
| 129 | 迁移率测试系统（8寸）（J） | TPS-Hall7600 | 电子迁移率测试 |
| 130 | 激光刻号机（8寸）（J） | kh | 激光打标 |
| 131 | 高分辨率扫描电子显微镜S-4800（8寸）（J） | S-4800 | 表面形貌测量,表面形貌分析 |
| 132 | 电子束蒸发台（8寸）（J） | SLIM50 | 薄膜蒸镀 |
| 133 | 导电扫描探针显微镜系统（AFM）（8寸）（J） | DIMENSION ICON | 表面形貌分析 |
| 134 | 变温探针台（8寸）（J） | PA300-9/IS | C_V测量,电性测试,电学测试 |
| 135 | 激光共聚焦显微镜（8寸）（J） | OLS3100-LSM(S) | 硅片表面形貌检测 |
| 136 | 光学轮廓仪（8寸）（J） | NT9100M | 表面形貌测量 |
| 137 | 椭偏仪（8寸）（J） | SOPRALAB GES5 | 硅片表面膜厚测量 |
| 138 | 高分辨率扫描电子显微镜S-5500（8寸）（J） | S-5500 | 表面形貌分析 |
| 139 | 全自动清洗机（8寸）（J | GPT-VAN-200 | 硅片清洗 |
| 140 | 涂胶显影机（8寸）（ J） | KS-C200-4SPIN | 8寸片涂胶以及显影,8寸片涂胶以及显影 |
| 141 | 半自动平行曝光机（I） | Altix CA5 | 平行曝光 |
| 142 | 镀铜线（I） | 定制 | 镀铜,薄膜沉积,镀铜线 |
| 143 | 化铜线（I | 安美特定制 | 化铜 |
| 144 | 引线键合机（I） | Palomar 8000 | 全自动 引线键合 |
| 145 | 矢量网络分析仪（I） | N5244A | 毫米波测量 |
| 146 | 电感电容电阻表（I） | 4294A | 电学测试 |
| 147 | 直流探针台（I） | PW-800 | 直流探针台 |
| 148 | 微探针台(模块、PCB) （I） | SUMMIT 11000 B-S | 功率测量 |
| 149 | 读数显微镜（I） | L200ND | 光学显微镜 |
| 150 | X射线检测仪（I） | GE Sensing Microme|x CT | 工件三维显示 |
| 151 | 霍尔效应测试仪（H） | Hall 8800 | 电子材料特性参数测量 |
| 152 | X射线衍射仪（H） | Smart lab | 金相、组织、结构分析 |
| 153 | 半导体特性测试仪（A） | 4200-SCS | 产品性能分析,CV特性曲线,IV特性曲线,CV特性曲线,IV特性曲线,IV特性曲线,CV特性曲线,CV特性曲线,IV特性曲线 |
| 154 | 电路在片测试系统D） | SUMMIT 9000 | 电路在片测试系统 |
| 155 | 步进式光刻机（stepper 1755i7a）（D） | nikon—1755i7a | 光学光刻 |
| 156 | 椭偏仪（H） | UVISEL 2 | 薄膜分析 |
| 157 | 高温动态老化系统（A）例行实验 | BTI-B3000AT | 温度试验,温度试验,温度试验,产品分析 |
| 158 | 氦气氟油加压检漏装置（A）例行实验 | HF-4 | 温度试验,产品分析,>310Kpa,≤310Kpa |
| 159 | 原子力显微镜（纳米区域中心） | ICON2-SYS | 表面形貌测量 |
| 160 | 快速退火炉（H） | AW810 | 样品前处理 |
| 161 | 划片机组 DAD321 + DCS141 （D） | DAD321 + DCS141 | 晶圆切割 |
| 162 | ICP-电感耦合等离子体刻蚀系统-Corial 1#【D】 | Corial 200IL | 刻蚀 |
| 163 | 溅射台 DP650（D） | DP650 | 薄膜 |
| 164 | PECVD 790+（D） | 790+ | 薄膜沉积 |
| 165 | 傅立叶红外光谱仪（H） | VERTEX 70V | 样品进行定性和定量分析 |
| 166 | 场发射扫描电镜（纳米区域中心） | SIGMA | 表面形貌测量 |
| 167 | MPC系列纳秒脉冲源（纳米区域中心） | MPC | 绝缘特性分析,表面处理 |
| 168 | 纳秒脉冲放电源（纳米区域中心） | SPG200N | 表面处理,绝缘特性分析 |
| 169 | 多功能接地电阻测量系统（纳米区域中心） | MI2127 | 接地电阻测量 |
| 170 | 高压绝缘性能测试系统（纳米区域中心） | PPST-100 | 绝缘特性测试 |
| 171 | 4395A网络/频谱/阻抗分析仪（纳米区域中心） | 4395A | 频谱特性测量,网络参数测量,阻抗测量 |
| 172 | 离子束溅射与刻蚀系统（区域中心）（C） | 非标研制 | 非测试类设备，由于设备实际使用情况不适用于时间预约的，暂用项目预约。 |
| 173 | 原子层沉积系统（区域中心）（C） | BENEQ TFS200 | 非测试类设备，由于设备实际使用情况不适用于时间预约的，暂用项目预约。 |
| 174 | 相位调制型椭圆偏振光谱仪（区域中心）（C） | Horiba Uvisel FUV | 非测试类设备，由于设备实际使用情况不适用于时间预约的，暂用项目预约。 |
| 175 | 光学轮廓仪（H） | MICRO XAM1200 | 表面形貌分析 |
| 176 | 太阳能电池IV测试仪（H） | SOL3A | IV曲线 |
| 177 | 同步热分析仪（H） | STA449F3 | 热稳定性 |
| 178 | 四探针电阻测试仪（八室A） | CRESBOX | 表面方块电阻测量 |
| 179 | 台阶仪（H） | P6 KLA-Tencor | 表面台阶高度测试 |
| 180 | 激光共聚焦显微镜（H） | OPLYMPUS LEXT OSL 4000 | 表面形貌分析 |
| 181 | 硅片清洗机（H） | SFQ-1508T | 样品前处理 |
| 182 | 紫外光刻机（八室） | URE-2000/A | 微纳米结构制作 |
| 183 | 磁控溅射台PVD（H） | SP-3 | 薄膜沉积 |
| 184 | 高低温半自动探针台（A） | PA300IS | 产品性能分析,半自动探针台高低温测试,半自动探针台常温测试 |
| 185 | 探针台（A） | PW-800 | 产品性能分析,手动探针台 |
| 186 | 扫描电子显微镜（S-4800 FE-SEM）（D） | Hitachi S-4800 FE-SEM | 显微分析,表面形貌测量,样品表面形态及结构分析,扫描电子显微镜观察/聚焦离子束加工,任意剖面显像,表面及切片剖面的微观形貌及特征分析 |
| 187 | 少子寿命测试仪（纳米区域中心） | WT2000 | 薄膜 |
| 188 | 太阳电池量子效率、反射光谱测试仪（纳米区域中心） | QEX7 | 电学测试 |
| 189 | 太阳电池I-V测试仪(纳米区域中心） | IVTEST Station 6000 | 半导体电学特性测试分析 |
| 190 | 综合物理性能测量系统(纳米区域中心） | PPMS-9 | 直流电阻测量,热输运测量（热导率、seebeck系数、品质因子）,直流磁化强度(VSM测量),交流电输运（交流电阻率、霍尔效应、临界电流）,比热测量 |
| 191 | C_V在片测试系统（D） | CASCADE 12000 | C_V测量 |
| 192 | 负载牵引在片l测试系统（D） | EP 6 | 功率测量 |
| 193 | 光伏独立系统测试平台(纳米区域中心） | SHSTS | 产品性能分析 |
| 194 | 光谱响应测试设备（纳米区域中心） | CEP-25/CH | 产品性能分析 |
| 195 | 光伏检测测试系统（纳米区域中心） | LNZ-2004 | 产品性能分析 |
| 196 | 温-湿度循环测试设备(纳米区域中心） | TH10-2186 | 产品性能分析 |
| 197 | 大面积光照测试设备(纳米区域中心） | WXLE-1.2×1 | 产品性能分析 |
| 198 | 光伏电池用太阳模拟器及I-V测试系统(纳米区域中心） | WXS-155S-10-AM1.5G/IV10005-98 | 产品性能分析 |
| 199 | 光伏组件用太阳模拟器及I-V测试系统(纳米区域中心） | WPSS-1.2×1-AM1.5G/IV05050-98 | 产品性能分析 |
| 200 | 太阳能电池IV测试系统 | Newport-Oriel 94041A | 太阳电池测试 |
| 201 | 低温探针测试系统 | Agilent B1500 | 半导体电学特性测试分析 |
| 202 | 台阶仪 | KLA-Tencor P-6 | 台阶测试 |
| 203 | 砂轮划片机 | ZSH506 | 划片 |
| 204 | LPCVD（J） | Tempress-287 | 产品性能分析,产品性能分析 |
| 205 | 溅射设备（J） | Varian-3180 | 产品性能分析,产品性能分析 |
| 206 | 扩散炉（平板CVD炉）（J） | AMP-3300 | 产品性能分析,产品性能分析 |
| 207 | 刻蚀机（反应离子）（J） | R/B 4520 | 产品性能分析,刻蚀 |
| 208 | 刻蚀机（反应离子）（J） | R/B4420 | 产品性能分析,刻蚀 |
| 209 | 光刻机（双面）（J） | EVG620 | 产品性能分析,产品性能分析 |
| 210 | 扩散炉（高温扩散炉）（J） | BTU | 产品性能分析 |
| 211 | 双面对准光刻机 suss MA6（D） | suss MA6 | 产品性能分析,光学光刻 |
| 212 | 电子束蒸发台 EVA450（D） | EVA450 | 产品性能分析,薄膜蒸发 |
| 213 | 光刻机（J） | PLA-501F | 产品性能分析,产品分析 |
| 214 | 磨抛机组 PM5（D） | PM5 | 产品性能分析,减薄 |
| 215 | 半导体功率器件动态测试系统（A） | TESEC 3430-SW | 产品性能分析,功率器件动态测试 |
| 216 | 半导体功率器件静态测试系统（A） | TESEC 3620-TT | 产品性能分析,功率器件静态测试 |
| 217 | 半导体参数测试仪4200（A） | 4200-SCS | 产品性能分析,CV特性曲线,IV特性曲线,半导体参数测试,产品性能分析,IV特性曲线,CV特性曲线 |
| 218 | JBX6300FS电子束曝光系统(区域中心)（C） | JEOL JBX6300FS | 非测试类设备，由于设备实际使用情况不适用于时间预约的，暂用项目预约。 |
| 219 | 分光光度计 | Cray 5E | 反射率、透射率测量 |
| 220 | 椭偏仪 | M-2000DI | 薄膜测量 |
| 221 | 电子束蒸发台 沈阳科仪 | EB700-I | 薄膜沉积 |
| 222 | 棱镜耦合仪 | Model 2010 | 薄膜测量 |
| 223 | 磁控溅射系统 | DISCOVERY635 | 薄膜沉积 |
| 224 | 光刻系统西区SUSS | MA6/BA6 | 光刻 |
| 225 | 原子力显微镜 | DimensionEdge | 表面形貌测量 |
| 226 | ICP金属刻蚀机 | SI 500 | 刻蚀 |
| 227 | 合金退火炉 | L4515II2F | 合金退火 |
| 228 | 高温扩散炉 | L4514II2F | 热氧生长二氧化硅、栅氧层 |
| 229 | 光刻机MJB3 | SUSS MJB3 | 光刻 |
| 230 | PT ICP刻蚀系统 | VersalineTM LL-DSE | 刻蚀 |
| 231 | ICP宝石刻蚀机 | HiEtch-Lx2000 | 刻蚀 |
| 232 | 光刻系统EVG | EVG620 | 光刻 |
| 233 | 聚焦离子束 | FB-2100 | 微纳米结构制作 |
| 234 | 高能离子注入机 | 长沙48所 | 离子注入 |
| 235 | 扫描电子显微镜 | NanoSEM650 | 表面形貌测量 |
| 236 | 激光直写系统 | ATD1000 | 光刻 |
| 237 | 纳米压印光刻机 | MA6 | 光刻 |
| 238 | 倒装焊 | FW1 | 电子束蒸发 |
| 239 | 3D立体显微镜 | OLS40-SU | 表面形貌测量 |
| 240 | 键合系统 | SB6 | wafer键合 |
| 241 | 电子束蒸发台 Innotec | C26VE25A | 电子束蒸发 |
| 242 | PECVD Oxford | system100 | 薄膜沉积 |
| 243 | 离子注入机 | Varian 350 | 离子注入 |
| 244 | 电子束曝光机 | 150-Turnkey | 电子束曝光 |
| 245 | Si ICP刻蚀机 | 601E | 刻蚀,表面形貌测量 |
| 246 | PECVD STS | Multiplex CVD | 薄膜沉积 |
| 247 | 氧化硅ICP刻蚀机 | Multiplex AOE | 刻蚀 |
| 248 | 离子束溅射台 | Optofab3000 | 溅射镀膜 |
| 249 | III-V族ICP刻蚀机 | System 100 | III-V族刻蚀 |
| 250 | 电子束蒸发台Denton | Explorer 14 | 电子束蒸发 |
| 251 | 双束系统DualBeam 820 FIB/SEM Workstation(纳米区域中心） | FEI DB820 | 扫描电子显微镜观察/聚焦离子束加工,刻蚀,电学测试,样品表面形态及结构分析 |
| 252 | 检漏仪（纳米区域中心） | LD979 | 气体分析 |
| 253 | 电子束曝光机(纳米区域中心） | JBX6A2 | 金相、组织、结构分析,刻蚀,微纳米结构制作,薄膜 |
| 254 | 高密度等离子体刻蚀机(区域中心)（C） | Corial 200IL | 非测试类设备，由于设备实际使用情况不适用于时间预约的，暂用项目预约。 |
| 255 | 电子束蒸发台(区域中心)（C） | Denton Vacuum Explorer 14 | 非测试类设备，由于设备实际使用情况不适用于时间预约的，暂用项目预约。 |
| 256 | 光学光刻机(区域中心)（C） | SUSS MA6 | 非测试类设备，由于设备实际使用情况不适用于时间预约的，暂用项目预约。 |
| 257 | 电子束曝光系统(区域中心)（C） | MEBES 4700S | 非测试类设备，由于设备实际使用情况不适用于时间预约的，暂用项目预约。 |